来源：
中国基金报
8 月 1 日，港股英诺赛科午前股价突然拉升，暴涨 30%。下午开盘后，英诺赛科股价继续飙升，最高涨至 63.64%。之后涨幅回落，截至收盘，上涨 30.91%，最新总市值达 515 亿港元。
有报道称，8 月 1 日，英伟达官网更新 800V 直流电源架构合作商名录，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴的唯一的中国芯片企业。
对此，英诺赛科相关人士向记者表示：「我们在和他们合作，是其供应商。」
2025 年 5 月，英伟达官网发布的相关文章指出，AI 工作负载的指数级增长正在增加数据中心的功率需求。传统的 54V 机架无法支持即将进入现代 AI 工厂的兆瓦 （MW）-scale 机架。
从 2027 年开始，英伟达将率先向 800V HVDC 数据中心电力基础设施过渡，以支持 1MW 及以上的 IT 机架。为了加速采用，英伟达正在与数据中心电气生态系统中的主要行业合作伙伴合作。其中，芯片提供商就包括 「Innoscience」，即英诺赛科。
上述文章称，英伟达 800V HVDC 架构通过全面重新设计来应对相关挑战，正在与数据中心能源生态系统合作，研究实现这一概念所需的创新和变革。
「800V HVDC 不仅仅是当今的机架，而是面向未来的 AI 基础设施。2027 年，800V HVDC 数据中心将与 NVIDIA Kyber 机架级系统同步全面投产，确保为要求日益严苛的 AI 模型提供无缝可扩展性。」
据该文介绍，由于 AI 工作负载每次查询所需的计算量增加了 100 倍到 1000 倍，因此，该架构可实现持续增长，同时通过提高效率、可靠性和系统架构改进，将总体拥有成本降低 30%。
英诺赛科官网显示，该公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用 IDM 全产业链模式，建立了全球首条产能最大的 8 英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。
目前，英诺赛科已实现了最初的规划，公司拥有两座 8 英寸硅基氮化镓生产基地，采用最先进的 8 英寸生产工艺，是全球产能最大的氮化镓器件厂商。
（中国基金报）
文章转载自东方财富
