HBM 市场格局或生变？英伟达 Rubin 出货预期渐浓 存储巨头上演 「你追我赶」

　　在 HBM3E 价格依旧节节攀升之际，存储龙头们已围绕 HBM4 展开了新一轮的市场份额之争。

　　据 TheElec 报道，SK 海力士将其位于清州的 M15X 工厂的量产计划提前了四个月，将于明年 2 月开始量产用于 HBM4 的 1b DRAM 晶圆。产能方面，该工厂初期规划约为 1 万片，预计到明年底将提升至数万片。相关人士透露：「设备投入和安装工作正在进行，计划已进行调整，以实现更快、更大规模的量产。」

　　值得一提的是，M15X 又被称作 「HBM4 专用工厂」，业内人士认为，此次加速生产表明了 SK 海力士对 HBM4 供应的信心。

　　截至目前，SK 海力士已完成 M15X 早期投产的技术准备工作，其中就包括完成 1b HBM4 工艺的认证，其采用改进型电路的 HBM4 晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年 1 月初向英伟达交付其下一代 12 层 HBM4 内存的最终样品。

　　与此同时，英伟达搭载 HBM4 的 Vera Rubin 200 平台出货预期愈发明确。市场预测显示，英伟达 GB300 AI 服务器机柜明年出货量有望达到 5.5 万台，同比增长 129%。Vera Rubin 200 平台预计将于明年第四季度开始出货，部分厂商订单能见度已远至 2027 年。

　　三巨头竞逐 HBM4 份额

　　时至今日，SK 海力士在全球 HBM 市场仍占据龙头地位。

　　市场调研机构 Counterpoint Research 数据显示，今年第三季度，SK 海力士全球 HBM 营收市占率达 57%，虽有下滑但仍好于去年同期。与之相比，三星与美光的市占率则分别为 22% 和 21%。

　　然而，未来上述格局或将被撼动。据韩国 《每日经济新闻》 日前消息，英伟达相关团队访问了三星，通报了 HBM4 系统级封装 （SiP） 的测试进展。会议透露，在运行速度与功耗效率两项核心指标上，三星的产品在所有内存厂商中取得了最佳表现。

　　基于其优异表现，英伟达也为三星 HBM4 的供应亮起了绿灯。据悉，英伟达要求的明年三星 HBM4 供应量大大超过了其内部预测值。 预计这将对三星业绩的改善起到显著作用。三星内部人士表示：「与上次的 HBM3E 不同, 我们在 HBM4 开发上处于领先地位。」

　　据报道，三星考虑到其平泽 P4 生产线的增设速度和生产能力等, 将于明年第一季度正式签订供应合同。 预计将从第二季度开始正式供应。

　　除此之外，美光也参与到 HBM4 的竞争之中。最新财报显示，其 HBM4 将在 2026 年第二财季按计划量产并实现高良率产能爬坡。HBM4 在基础逻辑芯片和 DRAM 核心芯片上采用先进的 CMOS 和先进金属化工艺技术，这些芯片均由美光自主设计与制造。

　　华泰证券指出，2026 年全球三大存储企业的资本开支或将集中在 HBM/DRAM 上。根据 TrendForce 预测，2026 年 DRAM 位增长率或将达到 26%。存储超级周期有望成为 2026 年半导体行业重要主线，但呈现结构性分化特征，Batch ALD 设备、测试设备及封装加工设备的市场需求有望明显增长。

（科创板日报）