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券商中国
全球存储芯片产业链再传利好催化。
当前，存储芯片涨价潮正蔓延至封测环节。据最新消息，因产能利用率逼近极限，主要存储封测大厂近期已将报价上调高达 30%，并正在酝酿后续进一步提价。
受此影响，今日 A 股先进封装指数盘中直线拉升，截至收盘，华峰测控大涨超 7%，长电科技大涨超 6%，华天科技涨超 3%，深科技、富满微涨超 2%。
有机构分析称，人工智能（AI） 仍是 2026 年市场的确定性主线之一，投资者正密切关注高端封测领域，测试成本攀升或将为测试供应商带来估值重估机会。
涨价 30%
1 月 12 日消息，中国台湾经济日报报道，受益于 DRAM（动态随机存取存储器，即内存） 与 NAND Flash（闪存，即硬盘存储） 大厂全力冲刺出货，力成、华东、南茂等头部封测厂商订单蜂拥而至，多家厂商证实 「订单真的太满」，现有产能已无法满足需求。为应对成本与供需失衡，各家厂商已正式启动首轮涨价，涨幅直逼 30%，且这股涨价潮预计将从一季度起直接体现在财报业绩中。
面对持续涌入的订单，厂商态度转趋强硬。相关企业透露，若供需紧张态势持续，不排除短期内启动第二波涨价。与此同时，南茂等厂商因仅能满足约八成客户订单，正紧急向外采购设备以扩充产能。市场分析指出，随着各大存储原厂将资源集中于先进工艺，标准型产品供给受挤压，这将推升封测端议价能力。
另据韩媒报道，近期全球存储芯片价格持续攀升，美国科技巨头谷歌、微软已紧急派遣采购团队飞赴韩国首尔，意在从三星电子、SK 海力士手中争取紧缺的 DRAM 芯片供货。报道提及，韩国板桥与平泽地区的酒店已被此类求购芯片人员的团队挤满。
报道引述价格数据显示，8GB DDR4 内存平均价格已从去年 1 月的 1.40 美元，上涨至 12 月的 9.30 美元。此次采购行动的核心目标被视为在价格进一步走高前锁定关键货源。
有分析指出，造成此次封测产能紧缺的核心原因，在于上游晶片原厂的策略重心转移。
随着三星电子、SK 海力士及美光科技三大巨头全力扩充 AI 专用的 HBM（高带宽内存） 产能，其资源高度集中于先进及封装制程，导致标准型 DRAM 与 NAND 晶片的产出受到同步排挤，旧规格产品供给迅速转趋吃紧。
需求端方面，伴随云端与工控市场需求回温，DDR4、DDR5 与 NAND 晶片的拉货动能强劲，进一步点燃了后段封测需求。这种供需错配使得主要封测厂产能利用率飙升，为涨价提供了坚实基础。
目前，中国台湾主要封测厂均处于满负荷运转状态。对于涨价议题，上述厂商均表示将依照市场需求进行弹性调整。
高盛：AI 仍是确定性主线
针对科技板块的投资逻辑，高盛发布的买方调研报告显示，AI 仍是 2026 年市场的确定性主线之一，而非 AI 板块关注度持续低迷。投资者正密切关注 Google TPU 供应链及高端封测领域，特别是半导体测试环节正迎来 「结构性美元含量增长」。
高盛指出，随着芯片复杂度提升，测试成本攀升将为颖崴科技 （WinWay） 与旺矽科技 （MPI） 等测试供应商带来估值重估机会。尽管市场对 CoWoS 设备板块如家登精密、辛耘股份存在短期情绪波动，但长期来看，先进封装仍具备坚实的结构性需求。
面对由 AI 浪潮不断推升的全球需求，主要芯片制造商正在扩充产能。美光科技宣布，其在美国纽约州总投资约 1000 亿美元的巨型晶圆厂项目将于 1 月 16 日破土动工。
美光科技称，该项目旨在打造全球最先进的存储半导体制造中心，以应对 AI 系统日益增长的需求。该项目包含多达四座工厂，预计到 2045 年第四家工厂建成时，将创造 9000 个工作岗位。
该项目的建设曾因环境评估审查而较原计划有所延迟，首座晶圆厂计划于 2030 年投产，第二座工厂预计在 2033 年上线，第四座工厂则规划在 2045 年前后完成。
美光移动与客户端业务部门市场副总裁 Christopher Moore 表示，由于晶圆厂扩建周期漫长、认证流程复杂，存储器供应紧张的问题在 2028 年前难以明显改善。
市场调研机构 Counterpoint Research 显示，2025 年第三季度，美光在全球 HBM 市场的营收份额为 21%，位列 SK 海力士、三星电子之后，排名第三；DRAM 整体市场份额为 26%，若其市场份额能提升至 40%，有望跃居全球首位。
（券商中国）
文章转载自东方财富
