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科创板日报
周四，韩国存储芯片巨头三星电子股价再度创下历史新高。此前有报道称，该公司正就其最新一代人工智能（AI） 存储芯片的定价进行谈判，价格将较上一代高出至多 30%。
三星股价盘中一度上涨逾 5%，最高触及 190900 韩元的历史高点。今年以来，三星股价已经累计上涨近 50%，延续了 2025 年的迅猛涨势。
与此同时，在存储板块的引领下，韩国股市周四再刷新高，韩国基准股指 Kospi 指数盘中最高涨至 5681.65 点，截至收盘，上涨逾 3%。
消息称，三星计划将其 HBM4 组件的售价定在约 700 美元，较 HBM3E 高出 20% 至 30%。
盛宝市场 （Saxo Markets） 首席投资策略师 Charu Chanana 表示，有关三星 HBM4 的报道再次凸显了该行业的 「定价权」。
「这表明 AI 存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端 （芯片） 市场重新夺回了一定的定价话语权。」 她表示。
存储芯片短缺持续利好三星与其本土竞争对手 SK 海力士，推动 Kospi 指数年初迄今大涨 34%，使其成为全球表现最佳的股市。
在 AI 竞赛初期一度落后于 SK 海力士后，三星正强势反攻。就在上周，三星宣布已开始量产 HBM4 芯片，并已向客户交付商用产品。
报道还称，SK 海力士预计也将把 HBM4 的价格定在更高水平。而去年 8 月，该公司向英伟达供应的 HBM4 单价约为 500 美元。
彭博情报分析师 Masahiro Wakasugi 在一份报告中写道，700 美元的定价意味着三星 HBM4 的营业利润率高达 50% 至 60%。
「如果三星向英伟达供应更多 HBM 芯片，2026 年三星与 SK 海力士的平均售价差距将会缩小，因为面向英伟达的 （芯片） 定价会高于其他客户。」 他表示。
韩国 「芯片双雄」 调整战略积极扩产
与此同时，面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国 「芯片双雄」——三星电子与 SK 海力士——调整了战略：通过提前推进生产计划，以主动把握存储超级周期红利。
直到去年年底，这些企业还在谨慎控制产能扩张，吸取过往存储芯片厂商之间陷入恶性价格战的教训。而如今，鉴于内存市场持续繁荣，他们转向积极扩产。
据最新报道，SK 海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年 2-3 月。这座晶圆厂的建设原计划于明年 5 月完工。
三星电子亦将平泽 P4 工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。
两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能 DRAM 与 HBM（高带宽内存）。
三星和 SK 海力士作出上述战略调整的背景是 AI 数据中心建设推动高性能 DRAM 需求大幅增长。
眼下，存储芯片的供应持续滞后于需求。
韩国 KB 证券指出：「截至 2 月，与去年第四季度相比，内存芯片的短缺程度进一步加剧，主要客户的订单满足率仅为 60%。AI 数据中心企业占据了三星内存出货量的 70%。」
花旗集团分析指出，今年 DRAM 供应量预计将增长 17.5%，NAND 闪存供应量增长 16.5%。与此同时，DRAM 需求预计增长 20.1%，NAND 闪存需求增长 21.4%，显示需求增速持续超过供给。
晨星、摩根大通等主流市场研究机构均预测，存储芯片短缺状况将持续至 2027 年。
（科创板日报）
文章转载自东方财富
