存储芯片涨价潮愈演愈烈。
据最新消息，存储芯片巨头 SK 海力士表示，受人工智能（AI） 客户强劲需求和供应增长有限的推动，预计存储芯片价格将在全年持续上涨。该公司还透露，今年没有任何一家客户能完全满足需求。
受涨价的利好刺激，存储芯片概念股周五全线大涨，美股闪迪大涨超 4%，美光科技涨超 2%；SK 海力士大涨超 6%，创出历史新高。此前有消息称，三星电子正就其最新一代 AI 存储芯片进行定价谈判，价格较上一代产品最高上浮 30%。
芯片巨头：价格将持续上涨
在最新召开的虚拟投资者会议上，SK 海力士释放强烈信号：存储芯片行业已全面进入卖方市场。
SK 海力士对今年的价格走势给出了非常明确的指引：受 AI 客户强劲需求和供应增长有限的推动，预计存储芯片价格将在全年持续上涨。
目前的供需紧张程度已经达到了近年来的高点，SK 海力士向高盛透露：「今年没有任何一家客户能够完全满足其存储需求。」
关于供给端，SK 海力士指出，全行业受限于洁净室 （Clean room） 空间的不足，供应增长受到物理限制。客户非常清楚，短期内存储产能无法显著增加。因此他们意识到，重复下单并不会带来更多的分配量，反而只会进一步推高价格。
从库存角度看，服务器客户的库存已达到健康水平，而 PC 和移动客户的库存正呈现下降趋势。
更为关键的是作为供应端的 SK 海力士，其自身库存已极其单薄。
该公司称：「我们在 DRAM 和 NAND 上的库存均处于正常水平，约为 4 周，并预计这一水平在全年将继续下降。」
另外，对于市场高度关注的 HBM（高带宽内存），SK 海力士明确表示，2026 年的产能分配已成定局。2026 年的 HBM 已全部售罄，满足客户需求的生产计划已经分配完毕。
SK 海力士坦言，鉴于目前的生产计划，很难在 2026 年对 HBM 和标准型 DRAM 的产线进行有意义的调整。
由于标准型 DRAM 目前的供需极度紧张 （Tight S/D），这为 SK 海力士在谈判桌上赢得了更多筹码，定价权更为稳固。
在此背景下，SK 海力士透露，「正在与主要客户讨论多年期的长期合约」。
该公司认为，这种紧张局势 「可能会为 2027 年的 HBM 业务带来更优惠的条款」。
另外，SK 海力士在资本开支 （Capex） 上仍保持清醒。
公司确认今年的资本开支将超过去年，但强调将 「继续坚持资本开支纪律」。投资的优先级非常清晰：核心聚焦于 HBM 和标准型 DRAM。对于 NAND 业务，虽然恢复了部分投资 （主要是向 321 层 3D NAND 迁移），但其在总资本开支中的占比将保持稳定 （预计维持在低双位数百分比），不会盲目扩张。
存储芯片概念股全线大涨
美东时间 2 月 20 日，美股存储概念股全线大涨，闪迪大涨 4.65%，美光科技涨超 2%。当日亚洲交易时段，SK 海力士大涨 6.15%，股价再度创出历史新高；三星电子亦创出收盘历史新高。港股存储芯片概念股亦小幅走强，其中澜起科技一度大涨超 8%，兆易创新一度涨近 4%。
当天有报道称，存储芯片巨头三星电子正就其最新一代 AI 存储芯片的定价进行谈判，价格将较上一代高出至多 30%。
盛宝银行首席投资策略师查鲁·查纳纳表示，有关三星 HBM4 的报道再次凸显了该行业的 「定价权」，「这表明 AI 存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端市场重新夺回了部分定价话语权」。
市场研究公司 TrendForce 预测，仅 2026 年第一季度，DRAM、NAND 闪存的价格预计就将分别上涨 90% 至 95%、55% 至 60%。
谷歌 DeepMind 首席执行官 Demis Hassabis 日前在接受采访时谈到了眼下席卷全球的 「内存荒」。他表示，内存芯片 「整个供应链」 都受限，硬件层面的挑战 「正限制着大量 （AI） 部署」。
英特尔CEO 陈立武近日也警告称，AI 发展的瓶颈已从 「算力」 转移至 「内存」 及更广泛的基础设施系统。他直言，内存短缺问题在 2028 年之前都不会缓解。
Bernstein 半导体行业分析师 Mark Li 警告称，内存价格正在呈现 「抛物线式」 上涨。虽然这将为三星电子、美光科技和 SK 海力士带来丰厚利润，但电子行业的其他领域将在未来数月付出沉重代价。
Counterpoint Research 表示，内存成本上涨可能导致低端设备在经济上对电子公司而言难以为继。随着利润率的下降，一些低价智能手机可能会彻底退出市场。
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（券商中国）
文章转载自 东方财富
