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财联社
据周一市场消息，由于供应紧张，三星对其 DRAM 和 NAND 闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至 30%。
这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。
消息称，三星 DRAM 产品的涨价幅度高达 30%，NAND 闪存产品的涨价幅度在 5%-10%。受影响的 DRAM 产品包括 LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X 内存产品，NAND 闪存产品包括 eMMC 和 UFS 产品。
据悉，三星此次提价的原因是供应紧张，而供应紧张是由于老款产品产量减少以及大型云企业需求增加造成的。
目前，三星在 DRAM 和 NAND 市场的占有率分别为 32.7% 和 32.9%。
存储巨头掀起涨价潮
近期，全球存储巨头接连涨价。
9 月 13 日有消息称，美光高层观察到，客户需求预测显示重大供应短缺，因此公司决定紧急暂停所有产品报价，重新调整后续价格。美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5 等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨 20%-30%。此次涉及的不仅是消费级与工业级存储产品，汽车电子产品涨幅更高，预计达 70%。
此前，NAND 闪存原厂闪迪宣布，针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行 10% 普涨。公司表示，在 AI 应用和数据中心、客户端、移动三领域均出现日益增长的存储需求的背景下，NAND 闪存产品需求强劲。未来公司将继续定期进行价格评估，并可能在未来几个季度作出进一步调整。
本轮涨价潮反映出存储芯片行业正经历结构性转变。在 AI 热潮下，三星等存储大厂纷纷将重心转向 AI PC 和下一代智能手机等新兴市场，以及 HBM 等高利润产品领域，导致传统产品供应收缩。
眼下，各大存储大厂正争先恐后地投身 AI 赛道，优先为英伟达、AMD 的 AI 加速器供应最新产品。HBM 的优先级高于消费级 DRAM，加剧了后者供应紧张。
摩根士丹利预计，随着 HBM 市场竞争加剧，传统 DRAM 和 NAND 产品有望在 2026 年迎来更可持续增长。
就在三星涨价消息传出之际，该公司的 12 层 HBM3E 芯片产品终于通过英伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球 AI 芯片赛道上取得了重要突破。
周一，三星电子股价收涨 4.77%，报 83500 韩元，盘中一度上涨 5% 至 83400 韩元，创下过去一年以来新高。
（财联社）
文章转载自东方财富