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财联社
周二公布的数据显示，三星电子第三季度从 SK 海力士手中重新夺回了全球存储芯片市场霸主之位。
根据行业追踪机构 Counterpoint Research 编制的数据，三星电子包括动态随机存取存储器 （DRAM） 和 NAND 闪存在内的存储芯片的总销售额在 7 月至 9 月期间达到 194 亿美元，较上一季度增长 25%。
SK 海力士第三季度的销售额为 175 亿美元，较上年同期增长 13%。
Counterpoint Research 将三星电子第三季度的强劲业绩归功于市场对 DRAM 和 NAND 闪存的需求强劲。
该机构还预测，凭借新一代高带宽存储 （HBM） 芯片 （HBM 是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM），三星电子明年有望实现全面复苏。
Counterpoint Research 还表示，三星电子第四季度可能会保持在全球存储芯片市场的霸主之位。
「三星电子上半年因 HBM 业务表现不佳而面临诸多挑战，但在积极采取措施提升产品质量后重夺第一。」 Counterpoint 研究员 Choi Jeong-ku 表示。
三星的第五代 12 层 HBM3E 近期通过英伟达的资格测试。这也使得三星成为继 SK 海力士和美光科技之后，第三家获得英伟达 HBM3E 认证的供应商。
周二早些时候，三星电子发布了第三季度初步业绩，显示受益于芯片业务复苏，当季公司营业利润强劲反弹。
根据初步业绩，三星电子第三季度营业利润同比增长 32%，达到 12.1 万亿韩元 （约 85 亿美元），创下三年多来最高的季度利润，远高于 LSEG SmartEstimate 预计的 10.1 万亿韩元。第三季度销售额同比增长 8.7%，至 86 万亿韩元，为单季销售额首次突破 80 万亿韩元。
（财联社）
文章转载自东方财富