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原厂停止报价、存储涨势持续!从业者直呼 「见所未见」

来自 作者: 王碧微
2025 年 10 月 26 日
在 24 小时
0

作者:
王碧微

  「这次涨价的特别之处在于,我在这个行业这么多年,之前从未见过涨价周期能够持续这么久。」 国内一家存储模组厂的员工近日向财联社记者感叹道。

  眼下,存储芯片市场正经历一场由 AI 驱动的、前所未有的全面缺货与涨价潮。这场始于上半年的涨势,进入第四季度非但没有趋缓,反而有进一步加剧的迹象。

  有存储产业链人士告诉财联社记者,目前部分存储原厂已经对部分 DRAM 和 Flash 产线采取暂停报价策略;涨价压力亦已传导至终端市场,小米集团创始人雷军 24 日在微博上直言,「最近内存涨价实在太多」。

  究其原因,此轮涨价的核心驱动力并非简单的周期性波动,而是以 HBM 为代表的 AI 需求爆发,正彻底打破存储行业的传统供需平衡。

  TrendForce 集邦咨询分析师许家源向财联社记者指出,原厂产能正优先分配给高阶 Server DRAM 和 HBM,从而挤压了传统消费电子所需的 DDR4、LPDDR4X 等旧制程产品供给,DDR4 的紧缺或持续到 26 年的 H1。对于国内厂商而言,许家源认为模组厂已积极储备颗粒及晶圆 (wafer) 库存,国内存储产业链正试图通过积极囤货和调涨价格,迎接这场结构性景气新时代。

  四季度涨势超预期:AI 驱动 「计划性牺牲」 引发供应结构失衡

  众所周知,存储行业周期性极强,大涨后往往伴随着低迷。而今年,存储芯片价格的上涨已持续超过半年,进入四季度,其涨势非但没有趋缓,反而因多重因素叠加而进一步加剧。

  CFM 闪存市场最新报价显示,产业上游成本的急速攀升,DDR4 16Gb 3200 现货报价本周已达到 13.00 美元,较上周暴涨 30%;同时,512Gb Flash Wafer 价格 10 月以来累计涨幅也已超过 20%。

  有存储产业链人士向财联社记者透露,目前原厂的部分 DRAM 和 Flash 产品已经处于停止报价状态,就算报价,价格有效期也很短,「一天一个价」 她说。

  许家源则向记者预计,DRAM 的整体价格 (加计 HBM) 在第四季度将季增 13%-18%。

  多位存储从业人士均向记者表示,这种产业链全面上涨如此之长时间的 「超级周期」,此前见所未见。

  资本市场亦对这轮 「超级周期」 反应热烈。10 月 24 日,A 股存储芯片概念再度爆发,普冉股份(688076.SH)、香农芯创(300475.SZ) 强势 20% 涨停,佰维存储(688525.SH)、江波龙(301308.SZ) 等涨超 10%。

  AI 驱动的产能转移引发产品供应的结构性失衡是此轮涨价的核心逻辑。

  AI 大模型的发展,带动着产业链对于 GPU 等基础设施的需求。摩根士丹利日前预测,今年科技巨头在 AI 基础设施上的投入将达到 4000 亿美元。这创造了存储芯片的海量需求。Yole Group 预计,2025 年,主要用于 GPU 生产的 HBM 产品的营收预计将接近翻倍,达到约 340 亿美元;HBM 市场将在 2030 年前保持 33% 的年复合增长率,届时其营收将超过 DRAM 市场总营收的 50%。

  而由于 HBM 所消耗的晶圆容量是标准 DRAM 的三倍多,在总产能有限的情况下,迫使存储巨头们将产能重点转向利润更高的 HBM 和 DDR5。许家源告诉财联社记者,原厂已将产能优先保障生产 Server DRAM 及 HBM。

  因此,随着原厂将产能优先转移至火热的高价值产品,DDR4、LPDDR4X 等旧制程产品则开始面临 「计划性牺牲」 而供应紧缺,产品涨价范围也从需求暴增的 HBM 扩大至整个存储市场。

  多位模组厂人士向记者表示,从今年一季度开始,DDR4 的原厂价格持续走高。根据慢慢买 App,一款金士顿 (Kingston) 的 DDR4 台式机内存条,价格从今年 3 月开始急速上涨,目前售价已超去年同期两倍。

  手机等终端市场也对存储涨价产生反馈。23 日发售的 Redmi K90 系列手机部分版本售价较上一代上调了 100-400 元不等,小米集团总裁卢伟冰对此公开表示,来自上游的成本压力,已真实的传导到了其新品定价上。他坦言,无法改变全球供应链的走势,存储成本上涨也远高于预期,且会持续加剧,但小米希望这份诚意能够让大家理解。

  许家源指出,未来,DDR4 供给预计将持续紧缺,至少延续至 1H26。威刚董事长陈立白也在日前公开表示,看好第四季才是存储大多头的起点,也是存储严重缺货的开始,明年产业荣景可期。

  对于这种情况,许家源告诉记者,不少下游厂商已经在想办法应对。其中,PC OEMs 正在加速导入 DDR5 机种来应对,而 TV、网通等 Consumer 领域则放缓了由 DDR3 转至 DDR4 的进程。

  国内模组厂积极囤货待涨

  在这轮由 AI 开启的行业新周期中,国内存储产业链的各环节正积极调整策略,试图扩大盈利能力并提升市场地位。

  此次 「超级周期」 对各个生产环节影响存在明显差异。首先,对于模组厂而言,囤货成为应对涨价、确保盈利的关键。江波龙证券部人士告诉财联社记者,上游涨价对公司的毛利率有正向的贡献,因为公司提前有存货。许家源也表示,八月以来模组厂已积极储备颗粒及晶圆 (wafer) 库存、并调涨模组产品定价。

  不过,并非所有模组厂商都采取大规模囤货的政策。朗科科技证券部人士表示,公司采取 「清库存」 的运营模式,库存量相对同行要少一些,因此业绩波动性会小一些。

  芯片设计公司和分销商则更依靠于产业链的价格传导。

  普冉股份(688076.SH) 证券部人士向财联社记者表示,公司正与下游客户商谈涨价,「四季度开始有一些供给紧张,然后肯定是跟下游商谈,想要博弈去看一下是不是能有涨幅。」

  分销商的香农芯创(300475.SZ) 证券部人士表示,公司就分销业务而言,毛利水平基本上是稳定的,但上游采购价格上涨,分销给下游的价格也会上涨,「存储的行情影响,对我们影响更多的是量带来的变化,毛利的变化不会特别大。」

  值得注意的是,国际原厂的涨价需求已传导至国内晶圆厂。国内一家存储大厂人士向财联社记者表示,国外原厂涨价令部分国产厂商转向国内晶圆厂。在这种背景下,原厂获利显著扩大已是行业共识。

  最后,在这种结构性变革中,国产厂商也正加速拥抱 AI 新周期。

  除积极扩大企业级 SSD 等产品的供应,国内企业正将目光聚焦于 HBM、先进封装和服务器 DDR5 等高附加值领域,力图在国际大厂战略性调整产能之际抓住机遇。

  目前,国产 HBM 产业链上较成熟的环节在于检测设备、先进封装等。赛腾股份(603283.SH) 日前在投资者平台表示,公司 HBM 检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货,国内市场正在积极开拓中;中微公司(688012.SH) 此前也公开表示,已在先进封装领域 (包含高宽带存储器 HBM 工艺) 全面布局,包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等,且已经发布 CCP 刻蚀及 TSV 深硅通孔设备。

  此外,佰维存储日前表示,公司的晶圆级先进封测制项目正处于投产准备过程中,项目建设完成后将为客户提供 「存储+晶圆级先进封测」 一站式综合解决方案,进一步提升公司在存算整合领域的核心竞争力。

  许家源预测,随着各大原厂的 HBM 产能释放,虽然预计 2026 年 HBM3e 可能面临供过于求压力,但新世代的 HBM4 具有技术门槛,仍呈供不应求态势。

(财联社)

文章转载自东方财富

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