近期表现强势的存储板块或又迎涨价利好！
消息面上，据财联社，三星电子本月提高了某些内存芯片的价格，这些芯片因全球建设 AI 数据中心的热潮而供应短缺，提高后的芯片价格比九月份上涨了多达 60%。
此前 11 月 5 日，另一巨头 SK 海力士宣布已与英伟达就明年 HBM4 供应完成价格和数量谈判，其向英伟达供应的 HBM4 单价确认约为 560 美元，较当前供应的 HBM3E（约 370 美元） 涨价超 50%，且超出此前业内 500 美元的预期 10% 以上。
半导体分销商 Fusion Worldwide 总裁 Tobey Gonnerman 表示，许多最大的服务器制造商和数据中心建设商"现在接受他们无法获得足够产品的事实。支付的价格溢价极高"。
三星 32GB DDR5 内存芯片模组的合同价格从 9 月的 149 美元跃升至 11 月的 239 美元。DDR 内存芯片用于服务器、计算机和其他设备，通过临时存储数据和管理快速数据传输和检索来辅助计算性能。
该公司还将 16GB DDR5 和 128GB DDR5 芯片价格分别上调约 50%，至 135 美元和 1194 美元。64GB DDR5 和 96GB DDR5 的价格涨幅超过 30%。
KB 证券研究主管 Jeff Kim 表示，三星在向人工智能芯片转型方面较慢，这意味着该公司在内存领域比 SK 海力士和美光等竞争对手拥有更强的定价权。
主力资金：11 月抢筹多只存储概念股
而对于注重 「海外映射」 的 A 股市场而言，此次三星大幅提价，能否带动存储板块继续强势值得关注。
东方财富Choice 数据显示，自 11 月以来，普冉股份排名第一，主力净买入 4.9 亿元；神州数码排名第二，主力净买入 4.5 亿元。
好上好、盈新发展、国科微、同有科技、北京君正、协创数据、杭州柯林等个股主力净买额在 3.8 亿元至 1 亿元之间不等。
机构：存储进入新一轮上行周期
公开信息显示，存储芯片具体可分为两类：一是数据持久化存储 （如 NAND 闪存，断电后数据不丢失），二是实时数据暂存 （如 DRAM，需持续供电，读写速度快）；其中，基于 DRAM 技术的高端品类 HBM（高带宽内存），可满足 AI 计算、服务器等场景中 「海量数据实时流转」 的需求。
而由于全球三大存储巨头三星、海力士和美光将大量晶圆产能转向 HBM 和 DDR5 生产，这直接挤压了 DDR4 的产能空间，使得 DDR4 产量减少，市场上供不应求。
TrendForce 集邦咨询 7 月发布的报告显示，由于三大厂转移产能，并宣布个人电脑、服务器用 DDR4 及手机用 LPDDR4X 进入产品生命周期末期，引发了市场对上一代产品积极备货，再加上正值存储行业旺季，现货市场供不应求。2025 年第三季度 DRAM 合约价上涨 10% 至 15%，第三季度涨价幅度达到 40% 至 45%。
国泰君安证券也在近期发布的研报中也指出，存储行业已进入新一轮上行周期，服务器需求回暖叠加 AI 服务器放量，是本轮涨价的核心驱动力。报告特别强调，随着大模型训练和推理对内存容量的需求激增，HBM 和 DDR5 内存的紧缺将进一步传导至整个存储产业链。
中信证券表示，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及 HBM3 产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。
（东方财富研究中心）
文章转载自东方财富
