【文章来源：techweb】
【】11 月 21 日消息，据外媒报道，本周早些时候有市场研究机构发布的报告显示，在高带宽存储器出货量增加和通用 DRAM 产品价格上涨的推动下，三星电子 DRAM 的销售额，在三季度超过了 SK 海力士，时隔两个季度重回榜首。
而从外媒最新的报道来看，在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下，三星电子有意扩大 DRAM 的产能。
外媒在报道中提到，全球人工智能基础设施投资扩大，导致对 DRAM 的需求激增，为了应对这一领域的强劲需求，三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能，增加 DRAM 产能。
对于调整的产能，外媒提到是在平泽和华城的园区，平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂，是混合生产线，DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产，三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能，增加 DRAM 的产能。
此外，外媒在报道中还提到，三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂，专门用于生产 DRAM，采用最新的制程工艺，以扩大利润率。（海蓝）
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【】11 月 21 日消息，据外媒报道，本周早些时候有市场研究机构发布的报告显示，在高带宽存储器出货量增加和通用 DRAM 产品价格上涨的推动下，三星电子 DRAM 的销售额，在三季度超过了 SK 海力士，时隔两个季度重回榜首。
而从外媒最新的报道来看，在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下，三星电子有意扩大 DRAM 的产能。
外媒在报道中提到，全球人工智能基础设施投资扩大，导致对 DRAM 的需求激增，为了应对这一领域的强劲需求，三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能，增加 DRAM 产能。
对于调整的产能，外媒提到是在平泽和华城的园区，平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂，是混合生产线，DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产，三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能，增加 DRAM 的产能。
此外，外媒在报道中还提到，三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂，专门用于生产 DRAM，采用最新的制程工艺，以扩大利润率。（海蓝）
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而从外媒最新的报道来看，在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下，三星电子有意扩大 DRAM 的产能。
外媒在报道中提到，全球人工智能基础设施投资扩大，导致对 DRAM 的需求激增，为了应对这一领域的强劲需求，三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能，增加 DRAM 产能。
对于调整的产能，外媒提到是在平泽和华城的园区，平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂，是混合生产线，DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产，三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能，增加 DRAM 的产能。
此外，外媒在报道中还提到，三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂，专门用于生产 DRAM，采用最新的制程工艺，以扩大利润率。（海蓝）
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而从外媒最新的报道来看，在 AI 领域需求强劲和通用 DRAM 价格上涨的有利形势下，三星电子有意扩大 DRAM 的产能。
外媒在报道中提到，全球人工智能基础设施投资扩大，导致对 DRAM 的需求激增，为了应对这一领域的强劲需求，三星电子决定减少部分 NAND 闪存产能，增加 DRAM 产能。
对于调整的产能，外媒提到是在平泽和华城的园区，平泽园区的 1 号工厂、3 号工厂和华城园区的工厂，是混合生产线，DRAM 和 NAND 闪存目前都有生产，三星电子将减少平泽园区 1 号工厂和华城园区 NAND 闪存的产能，增加 DRAM 的产能。
此外，外媒在报道中还提到，三星电子计划在平泽园区建设 4 号工厂，专门用于生产 DRAM，采用最新的制程工艺，以扩大利润率。（海蓝）