作者：
吴佳楠
今年四季度以来，存储行业迎来史诗级涨价浪潮。
10 月 23 日，SK 海力士官宣四季度 DRAM、NAND 合同价最高上调 30%。
11 月 9 日，闪迪大幅上调 NAND 闪存合约价约 50%，是本轮 NAND 涨幅最大的单次调价。
上游存储芯片的持续上涨，进一步影响下游消费电子产品。「还没有买手机的朋友要尽快买，明年价格大概率上涨。」 集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷告诉 21 世纪经济报道记者，预计本轮存储芯片价格持续上涨的周期比上一轮八个季度的周期更长，整体智能手机价格也会往上调。
本轮存储芯片涨价，归因是人工智能浪潮带来的 AI 服务器旺盛需求，推动原厂将更多产能转向 AI 系统所需的高端产品，包括 HBM、DDR5，导致普通型存储芯片 LPDDR4 产品供应不足。
吴雅婷表示，随着原厂的逐步停产，到 2026 年，LPDDR4 在总的 LPDDR 供应中占比降至 26%，LPDDR5 的供应占比将快速提升至 73%。由于手机需求叠加 AI 需求，LPDDR5 的供给也会持续紧张，预计明年都会面临供应紧缺和涨价问题，进一步促进智能终端的成本压力上升。
消费电子涨价
在深圳华强北电子市场，现货供应紧张，「一天一个价」 自 10 月份以来已经成为普遍现象。商家与买方之间都夹杂着一种复杂情绪，既有对手上留有存货的庆幸，也有对存货价值剧烈波动的焦虑。
「短短一个多月的时间，存储行业迎来的涨价浪潮，是我从业十几年来第一次遇到，11 月初的时候，闪迪再次宣布涨价 50%，紧接着三星跟进部分产品，涨价超过 60%，这么短的时间这么大的涨幅，是让我很震惊的。」 时创意董事长倪黄忠向记者表示。
倪黄忠认为，过去存储涨价，基本都是手机容量倍增或原厂出现停电等异常情况导致减产涨价，但本轮涨价完全超出预期，主要在于 AI 的规模化应用带来的结构性缺货，本质上是存储从 AI 的成本配件向战略物资的角色转型，当以存代算成了降本增效的核心路径，彻底重构了整个存储市场的逻辑。
今年以来，AI 持续猛涨的需求，对内存带宽和容量提出极高要求，一台 AI 服务器对 DRAM 的需求是普通服务器的 8 倍，对 NAND 的需求高达 3 倍，增加了对 HBM 和 DDR5 等高性能、高密度存储产品的需求，从而带动存储原厂的结构性产能转移。
上游包括三星、SK 海力士、美光在内的三大存储巨头主动调整产能结构，削减部分利润率偏低的传统 DRAM 产能，如 LPDDR4，将晶圆厂产能转向生产 HBM 和 DDR5 等高附加值产品。
这种结构性产能转移直接导致用于智能手机的 LPDDR4 等传统 DRAM 供应持续紧张，其价格涨幅预期也随之上调，行业普涨正快速向下游传导，对手机、PC 等终端厂商构成巨大成本压力，机构也下调对明年智能手机出货量预期。
集邦咨询数据显示，2025 年 LPDDR4(X) 在总的 LPDDR 供应当中的占比为 39%，随着三大原厂的逐步停产，预计 2026 年占比将会降低至 26%。相比之下，LPDDR5(X) 的供应占比将从 2025 年的 60% 快速提升到 2026 年的 73%。
吴雅婷表示，明年 LPDDR5 在 LPDDR 的产出中将超过 70%，但由于手机的需求会跟 AI 的需求互相竞争，LPDDR5 的供给也将紧张，再加上 LPDDR4 的供给减少，预计 2026 年智能手机的成本压力会上升许多。
集邦咨询数据显示，LPDRAM 价格在 2025 年下半年整体上涨超 50%，一些智能手机品牌已经调涨零售价格作为回应，这将冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿和换机计划，预计将导致 2026 年出货增速分别同比下滑至-2% 和-3%。
集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣向记者表示，今年下半年各大云服务商加码 AI 基础设施投入，台积电正不断满足 AI 方面的需求，使得内存、闪存产能吃紧，价格节节高涨，到 2026 年，智能手机和笔记本电脑的出货将是负增长情况，这和 AI 服务器的高增长几乎是两个完全不同的世界。
明年仍供不应求
与明年智能手机与笔记本电脑出货增速预估下调不同的是，通用服务器和 AI 服务器 2026 年对于 DRAM 和 NAND Flash 需求将保持高速增长，远超于来自笔记本电脑和智能手机的需求。
集邦咨询数据显示，2026 年，通用服务器对于 DRAM 需求将同比增长 20%，对于 NAND Flash 的需求将同比增长 19%；AI 服务器对于 DRAM 需求方面，预计 2026 年 LPDDR 需求同比增长 15%，RDIMM 同比增长 21%，对于 NAND Flash 需求将继续大涨超 70%。
AI 需求如此猛增，那么 2026 年的存储市场如何走向？集邦咨询报告显示，预计 2026 年 DRAM 市场的供应量将同比增长 20%，营收规模将会达到 3006 亿美元，同比大涨 85%，平均单价约为 1.63 美元，同比上涨 58%。NAND Flash 市场则在 2026 年供应量同比增长 21%，营收规模将会达到 1105 亿美元，同比涨 58%；平均单价约为 0.1 美元，同比上涨 32%。
吴雅婷表示，存储市场需求复苏稳健，得益于 AI 应用为主要增长引擎，尤其是服务器市场驱动，今年四季度 DRAM 合约价格变化很快，现在多家原厂都停止报价，都不希望自己的涨价幅度低于别人，所以轮流暂停报价，每一次报价出来的金额都比上一次高，若排除 HBM 的部分，今年第四季度消费类 DRAM 的涨价幅度接近 50% 基本可以反映明年一季度的涨幅。
「从 2026 年的每个季度看，明年上半年的消费类 DRAM 涨幅会比较明显，原厂轮流停止报价、涨价、竞价的行为模式会持续发生，竞价模式在明年仍是市场主流，持续推动价格往上走，明年各个类型的 DRAM 产品基本没有价格下跌的可能。」 吴雅婷表示。
价格的上涨，推动存储芯片原厂增加资本支出扩产。集邦咨询数据显示，2025 年，在 AI 和 HBM 的驱动下，三星、SK 海力士、美光三大供应商积极推动制程转换，资本支出同比增长超过 80%，预计在 2026 年，DRAM 资本支出将分别增长 17%、25%、40%。
目前，三星的 P4L DRAM 厂房建设计划于 2025 年完成，随后于 2026 年启动生产；SK 海力士的 M15X HBM 晶圆厂计划于 2025 年底开始大规模生产；美光的 ID1 新晶圆厂已于 2024 年动工，预计将在 2027 年启动更广泛生产。
然而，这些新建产能对 2026 年的供给十分有限。吴雅婷认为，存储芯片原厂当前扩大资本支出新建产能，但在 2026 年能进行有效供给产出的量非常少，即便资本支出上升和加速新厂房建设，对产能增长的效果在 2027 年底前都非常有限。
「在这样的市场行情下，财大气粗的云端 CSP 厂商愈演愈烈的趋势将更明显，中小型终端厂商会面临更大的压力，需要采取更弹性的做法，比如从现货市场或者寻找其他资源和渠道进行存储收货。」 吴雅婷表示。
倪黄忠表示，存储在芯片行业在未来的很长一段时间里仍是紧缺，对存储模组厂来说是机遇也是挑战，随着价格的持续猛涨，终端消费者可能会买不到自己想要的产品，行业要回归到一个正常的供需关系，这就需要终端厂商把存储当作 AI 行业中的战略物资，做好长期规划。
（21 世纪经济报道）
文章转载自东方财富
