作者：
魏中原
在全球存储芯片供应持续紧张、价格飙升的背景下，A 股半导体设备板块迎来强势上涨。2026 年 1 月 6 日，北方华创（002371.SZ）、拓荆科技（688072.SH）、中科飞测（688361.SH） 等设备龙头股盘中集体刷新历史高点，市场资金积极涌入。这一行情直接受到行业涨价信号的刺激，有消息称，三星电子与 SK 海力士计划在 2026 年第一季度将服务器 DRAM（动态随机存取存储器） 价格较上一季度提升 60%~70%。
2026 年伊始，这轮自 2024 年末以来的存储涨价潮没有丝毫放缓的迹象，主要系人工智能服务器需求的爆发导致先进制程产能向 HBM（高带宽存储器） 等高端应用倾斜，挤压了其他市场的供给，引发全行业价格快速上涨。
在此轮全球存储大周期中，国内存储龙头长鑫科技近日 IPO 获受理，拟募资 295 亿元投向技改与研发，计划 2027 年底前完成大部分设备导入。其产能爬坡与技术追赶，被视为拉动国产设备与材料环节需求的关键力量。行业高景气延续之际，市场普遍预期，存储涨价周期叠加国内存储厂商扩产提速，国产半导体设备板块将率先受益，业绩确定性凸显。
AI 需求引爆存储大周期
全球存储芯片市场正经历前所未有的价格暴涨周期，涨价的核心驱动在于人工智能浪潮带来的结构性供需失衡。根据 TrendForce 调查，2026 年第一季度，DRAM 原厂将大规模转移先进制程产能至服务器与 HBM 应用，以满足 AI 服务器的强劲需求，导致消费电子、移动设备等领域的通用型 DRAM 供给严重紧缩。
受持续短缺和供应链调整的影响，自 2024 年底以来，部分内存模组现货价格涨幅已达惊人水平，其中 DDR4 16Gb 模块价格甚至在一年内飙升约 1800%，创下近年内存市场最大涨幅纪录，并且截至目前，存储涨价势头仍看不到丝毫缓和的迹象。
有消息称，海外巨头三星和 SK 海力士计划在 2026 年第一季度将服务器 DRAM 价格较 2025 年第四季度提升 60%~70%。
涨价预期下，资本市场大力追捧存储原厂，三星电子股价 1 月以来涨超 15%，续创历史新高，2025 年以来已经涨超 160%；SK 海力士 1 月以来涨逾 11%，距离刷新历史高点只差 6%。
A 股市场同步演绎存储行情。1 月 6 日，存储器指数强势拉升，普冉股份（688766.SH）、恒烁股份（688416.SH）、北京君正（300223.SZ）、兆易创新（603986.SH） 等多只成份股涨幅居前，半导体设备跟涨，北方华创、拓荆科技、中科飞测等股盘中创历史新高；金海通（603061.SH） 收盘涨停，创历史新高。
多家机构在近期研报中指出，国产半导体设备与材料企业将直接受益于国内存储原厂的高稼动率与持续扩产计划，尤其在前道制程、量测、清洗、CMP 等环节已实现突破的企业，订单能见度正在提升，因此被视为此轮存储大周期的先行受益板块，伴随需求持续释放，原厂扩产都必须率先采购设备，设备企业的业绩能见度较高，成为资金在产业周期早期重点布局的方向。
存储上行周期，国产链迎历史机遇
随着海外原厂将资本开支倾斜于 HBM 为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口具有持续性，因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升，国内存储产业正迎来关键发展窗口。
日前，最受市场关注的是长鑫科技 IPO 进展，该公司作为全球第四大 DRAM 原厂，在本轮行业上行周期中业绩显著改善，2025 年营收预计达 550 亿~580 亿元，第四季度毛利率有望突破 40%，并可能在 2026 年实现扭亏为盈。目前，长鑫目前拥有合肥与北京三座 12 英寸晶圆厂，预计 2026 年全部达产，产品已覆盖 DDR5、LPDDR5X 等主流技术平台。
尤其值得关注的是长鑫科技募投计划，公司拟募集资金 295 亿元，主要用于三方面：量产线技改、DRAM 技术升级及前瞻技术研发。其中，量产线技改项目将投入 75 亿元，逐步向中高端产品切换工艺，并同步推动本土设备、材料、零部件的合作，设备购置安装费用约 46.66 亿元；DRAM 技术升级项目总投资 180 亿元，设备购置安装占 174 亿元，计划 2025 年第四季度启动采购，2026 至 2027 年分批完成设备搬入。这些项目大部分设备导入预计在 2027 年底前完成，2028 年上半年进行验收。
长鑫科技扩产拉动的设备需求，这为更多国产半导体设备提供了导入机会，也提升了设备企业业绩增长的确定性。「长鑫的扩产计划是对国产存储供应链的一次整体拉动，AI 驱动的 HBM 和高端存储需求，创造了结构性而非周期性的设备投资机会。3D NAND 堆叠与 DRAM 技术迭代，使得刻蚀、薄膜沉积设备等核心设备的使用量和价值量大幅提升。」 一位 TMT 行业人士对记者说：「特别是在设备与材料环节，随着龙头企业的产能规模提升与技术迭代，本土具备卡位优势的厂商将迎来订单放量机会，国产替代进程将在存储领域进一步提速。」
上述行业人士还表示，从全球视角来看，2025 年第三季度全球 DRAM 市场仍由 SK 海力士、美光、三星寡头垄断，三家合计市占率超 90%。相比之下，长鑫存储市占率不到 6%，技术追赶持续进行，市占率具备大幅提升空间。并且在本轮存储涨价周期中，由于折旧压力相对较小，且现金流随产品提价改善，国内存储厂商扩产步伐有望加快。
（第一财经）
文章转载自东方财富
