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突然飙涨 90%!芯片利好突袭!高盛大幅上调存储芯片供需缺口预期

来自 金桂财经
2026 年 2 月 10 日
在 24 小时
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来源:
券商中国

  存储的涨价潮仍在持续!

  2 月 9 日,市场研究公司 Counterpoint 表示,截至 2026 年第一季度,内存价格环比上涨 80%—90%,迎来前所未有的创纪录暴涨。

  另外,高盛大幅上调了 DRAM 供应短缺预期,并发出警告称,市场正处于过去 15 年来最严重的存储芯片供应短缺前夜。而在几天之前,TrendForce 集邦咨询全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季度增长幅度,预估整体 Conventional DRAM 合约价将从 1 月初公布的季增 55%—60%,改为上涨 90%—95%。

  今日,在韩国证券市场上,存储芯片概念股集体大涨,SK 海力士涨近 6%,三星电子涨近 5%。在 A 股市场上,存储芯片概念股也集体走强,炬光科技涨超 17%,国芯科技涨超 12%,复旦微电涨近 10%,兆易创新、长电科技等涨超 6%。

  一季度内存价格飙升 90%

  Counterpoint 发布的 《2 月内存价格追踪报告》 显示,截至 2026 年第一季度,内存价格环比上涨 80%—90%,本轮上涨的主要推手是通用服务器 DRAM 价格大幅攀升。此外,去年第四季度表现相对平稳的 NAND 闪存,在第一季度也同步上涨 80%—90%。叠加部分 HBM3e 产品价格走高,市场正呈现全品类、全板块全面加速上涨态势。

  以服务器级内存为例,64GB RDIMM 合约价已从去年第四季度的 450 美元,飙升至第一季度的 900 美元以上,且二季度有望突破 1000 美元关口。高级分析师 Jeongku Choi 指出:「存储器行业盈利水平预计将达到前所未有的高度。2025 年第四季度,DRAM 营业利润率已达到 60% 区间,这是通用 DRAM 利润率首次超过 HBM。2026 年第一季度,DRAM 利润率将首次突破历史峰值。尽管如此,这一水平要么成为新的常态,要么形成极高的基准——当前看似稳固,但一旦进入下一轮下行周期 (若发生),市场表现可能会更加惨淡。」

  此外,TrendForce 集邦咨询最新数据显示,受惠于 AI 浪潮的推升,存储器与晶圆代工产值均将在 2026 年同步创下新高。存储器产业受供给吃紧与价格飙升影响,产值规模大幅扩张至 5516 亿美元。尽管晶圆代工产值同步创下 2187 亿美元的新高纪录,但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的 2 倍以上。

  上一次存储器超级循环落在 2017—2019 年,主要由云端数据中心建置需求所驱动,存储器产值当时也与晶圆代工拉开了显著差距。然而,此次由 AI 需求驱动的循环与前一次相比,缺货的状况更为全面。AI 产业重心由模型训练转向大规模推理应用,更强调实时响应能力与数据存取效率,带动服务器端对高容量、高带宽 DRAM 的需求持续扩大,单机搭载容量亦同步提升。除此之外,英伟达在 Vera Rubin 平台的推广中,强化了对高效能存储的需求,提升 Enterprise(企业级)SSD 的重要性。为了在 Token 生成效能与成本之间取得平衡,业者正加速采用大容量 QLC SSD 以应对海量数据存取。

  另一方面,客户的需求也已显著改变,不同于过去以终端客户为主,此次抢货潮由 CSP(云端服务供应商) 拉动,不仅采购量呈指数级成长,对价格的敏感度相对较低,使得价格涨幅同样超越前一次超级循环,并创下新纪录。

  此前,TrendForce 集邦咨询全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度,预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55%—60%,改为上涨 90%—95%,NAND Flash 合约价则从季增 33%—38% 上调至 55%—60%,并且不排除仍有进一步上修空间。

  高盛大幅上调存储芯片供需缺口预期

  知名投行高盛在 2 月 8 日的报告中表示,2026—2027 年全球存储器市场将经历历史上最严重的供应短缺之一,DRAM、NAND 和 HBM 三大品类供需缺口均大幅扩大。

  高盛最新预测显示,2026 年和 2027 年 DRAM 供不应求幅度将达到 4.9% 和 2.5%,远超此前预期的 3.3% 和 1.1%。其中,2026 年的供应短缺将是过去 15 年以来最严重的一次。

  驱动这一紧张局面的核心因素在于服务器需求的爆发式增长。高盛将 2026 年/2027 年服务器 DRAM(不含 HBM) 需求预期上调 6%/10%,预计这两年的增长率将分别达到 39% 和 22%。如果将 HBM 计算在内,服务器相关 DRAM 需求将占全球总需求的 53% 和 57%,服务器已成为 DRAM 需求最重要的驱动力。不过,高盛下调了 PC 和智能手机的 DRAM 需求预期。

  NAND 市场的供需格局同样大幅收紧。高盛预计 2026 年/2027 年 NAND 供不应求幅度为 4.2%/2.1%,高于此前预期的 2.5%/1.2%,这将是 NAND 行业历史上最大规模的短缺之一。其中,企业级 SSD 需求的强劲增长是主要推动力。高盛将 2026 年/2027 年企业级 SSD 需求预期上调 14%/14%,预计增长率将达到 58%/23%,在全球 NAND 需求中的占比将升至 36%/39%。

  银河证券指出,1 月份,存储市场延续 2025 年四季度以来的强势上涨态势,DRAM 和 NAND 闪存价格涨幅持续超预期。三星电子、SK 海力士等头部厂商一季度合约价大幅上调,其中 NAND 闪存供应价格上调超 100%,DRAM 价格涨幅达 60%—70%。涨价核心驱动因素包括:AI 服务器对 HBM 需求爆发、数据中心资本开支加码、产能结构性调整等,供需缺口持续扩大,预计本轮涨价周期将延续至 2026 年年中。当前时点,是存储芯片赛道下一轮周期的新起点,在 AI 服务器需求高速增长叠加国产替代,看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。

  招商证券表示,2026 年一季度以来各类存储产品价格环比急剧上涨,目前在能见度范围内今年存储价格持续上涨可期,同时 2026 年全球新增供给有限,预计存储紧缺趋势将延续至 2027 年。在价格与需求共振情况下,今年海内外存储将迎来业绩释放大年,后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点,建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司。

(券商中国)

文章转载自东方财富

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