周二存储概念股领涨半导体，东芯股份20CM 涨停，普冉股份涨超 14%，帝科股份、精智达涨超 10%，康强电子、华天科技涨停。
消息面上，据澎湃新闻，韩国 《电子时报》 报道，今年第一季度，三星电子将 NAND 闪存的供应价格上调了 100% 以上，这一涨幅远高于市场此前预期，此前调研机构 TrendForce 预测今年涨价幅度为 33% 至 38%。
而三星电子此前已通知客户，将旗下所有存储半导体产品的价格上调。据悉，此次涨价涉及高带宽内存（HBM）、DDR5 和 DDR4 等通用 DRAM。
野村证券等海外投行指出，即使是市场排名第五的 SanDisk，也计划在新的一年将 NAND 价格上调 100%。一位行业相关人士表示，与 DRAM 的情况如出一辙，NAND 制造商纷纷加入涨价行列，全行业的全面提价已成定局。
NAND 涨价主要是由于随着数据中心扩张，企业级固态硬盘 （eSSD） 需求爆发，以及 「端侧 AI」 推动移动设备和 PC 向高容量存储升级，需求端呈现指数级增长。然而，供给端并未能及时跟进，导致存储芯片市场正陷入 「有价无货」 的局面。
花旗、摩根士丹利以及美国银行研究团队一致认为，AI 浪潮驱动的 「存储芯片超级周期」 全面到来，且这一轮周期的强度与持续时间长度可能远远强于 2018 年的那轮 「云计算时代驱动的存储超级牛市」。
以 Peter Lee 为首的花旗分析师预计，2026 年 DRAM 与闪存产品的平均售价或将分别上涨 88%、74%，涨幅高于花旗此前预测的 53%、44%。
分析师指出，受 AI 应用程序使用率提升，以及 AI 训练和推理专用中央处理器需求增长的推动，今年通用型存储器产品预计将出现严重短缺。
野村分析师认为，这一轮始于 2025 年下半年的 「存储芯片超级周期」 至少延续至 2027 年，并且真正有意义的新增供给最早要到 2028 年初期才会出现。
（东方财富研究中心）
文章转载自东方财富