来源：
财联社
据 Digitimes 报道，存储龙头三星电子将针对 12 层 HBM3E 推出 30% 的降价策略，以试图抢占市场。
「价格战」 背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今年 9 月，三星 12 层 HBM3E 产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。
三星 HBM3E 出货时间仍然明显落后于 SK 海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早在 2024 年，SK 海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应 HBM3E 产品，今年上半年更是实现了 16 层 HBM3E 的量产供货；另有消息称，今年 6 月，美光 HBM3E 的良率已提高至 70% 以上，且预计出货量超过 8 层 HBM3E。
在良率与市场份额明显落后的局面下，三星于今年 7 月被传出将针对部分客户提出 HBM3E 的降价提案，以促成商用合作。彼时的三星提醒，HBM3E 的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。
不过，就产品迭代趋势而言，HBM3E 仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列第六代产品——HBM4 或即将全面推出。
本月消息称，三星正在加紧推进 HBM4 的研发，其计划于 10 月 27 日至 31 日在 2025 年三星科技展上发布第六代 12 层 HBM4，并计划于今年晚些时候量产。其他存储厂商方面，今年 9 月，SK 海力士表示已完成全球首款 HBM4 的开发工作，已为量产做好准备。
在 HBM4 全面接棒老款产品的背后，是英伟达等科技巨头对 AI 芯片架构的全面升级。早在去年，黄仁勋就预告推出 Blackwell Ultra AI 芯片，且将采用 HBM4 内存。
而据 TrendForce 集邦咨询最新调查，近期英伟达积极要求 Vera Rubin server rack 的关键零组件供应商提高产品规格，包括 HBM4 的 Speed per Pin 须调升至 10Gbps。值此背景，预计 SK 海力士在 HBM4 量产初期将维持其最大供应商的优势。
从价格趋势来看，TrendForce 预测，2025 年 HBM 的平均销售单价将同比上涨 20.8%，达到 1.80 美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的 12 层 HBM4 产品单价将达到 500 美元，比售价约 300 美元的 12 层 HBM3e 高出 60% 以上。
目前来看，三星发动的 HBM 价格战，传导到 DRAM 等传统存储芯片的概率较低。根据此前韩国 KB 证券研究主管 Jeff Kim 预计，若 DRAM 当前涨势持续，明年非 HBM 内存芯片的盈利能力甚至可能将超越 HBM。据其估算，三星 7-9 月期间标准 DRAM 业务运营利润率约为 40%，HBM 业务则达 60%。
另据日前消息，三星电子、SK 海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括 DRAM 和 NAND 在内存储产品价格将上调高达 30%，从而顺应 AI 驱动的存储芯片需求激增趋势。
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（财联社）
文章转载自东方财富