来源：
财联社
当地时间 5 月 21 日，纳微半导体宣布与英伟达合作开发下一代 800 伏高压直流 （HVDC） 架构，为包括 Rubin Ultra 在内的 GPU 提供支持的 「Kyber」 机架级系统供电。消息一发布，纳微半导体美股盘后涨超 180%。
在数据中心电源方面，英伟达另一个重要合作伙伴是维谛技术。5 月 20 日，维谛技术宣布计划在 2026 年下半年推出 800 VDC 电源产品系列，支撑英伟达 NVIDIA 整机柜计算平台。
与维谛技术不同的是，纳微半导体专注于下一代功率半导体技术，致力于开发高性能的氮化镓（GaN） 和碳化硅（SiC） 功率器件，产品广泛应用于电动汽车、数据中心、太阳能、储能、家用电器及工业制造等领域。纳微半导体的氮化镓和碳化硅技术可在一定程度上大幅提升 「Kyber」 机架级系统的能效比、散热管理和系统可靠性，将在与英伟达的合作中发挥关键作用。
氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率和耐高温特性，极大地提升了电源转换效率和系统稳定性；
碳化硅则以其优异的耐压和导热性能，为高压直流架构提供了坚实的技术支撑。
值得注意的是，碳化硅产业正迈入产能扩张与价格博弈的深水区，一方面，碳化硅晶圆龙头 Wolfspeed 由于一直无法解决债务危机，将在数周内申请破产；另一方面，中国厂商正在快速崛起，多家供应商在具备 6 英寸产品量产能力的同时，与海外 IDM 大厂达成合作：例如天岳先进、天科合达之前已分别就碳化硅与英飞凌签订供应协议，三安光电与意法半导体位于重庆的 8 英寸碳化硅晶圆合资厂则刚刚于今年 3 月正式通线。
AI 电力需求呼唤革命性解决方案 HVDC 产业趋势进一步得到验证
在人工智能（AI） 行业迎来技术革新浪潮的背景下，AI 模型规模不断扩大，算力需求激增，高性能 GPU 的电源管理成为关键瓶颈。传统的数据中心架构使用传统的 54V 机架内配电系统，功率限制在几百千瓦 （kW），当功率增加到 200kW 以上时，这种架构因功率密度、铜材需求和系统效率降低等问题而达到物理极限。
光大证券日前发布研报称，此前市场对于 AI 数据中心供电方案发展趋势存在分歧，而维谛技术日前宣布计划发布 800VDC 电源产品系列以匹配英伟达技术路线，进一步验证 HVDC 产业趋势。随着未来机架功率提升，HVDC 在 AI 数据中心优势将充分凸显，其渗透率有望持续提升。
HVDC 未来有望逐步替代 UPS，主要有以下几点原因：
1）AI 技术发展推动服务器机架功率持续提升，随着机架功率超过 300kW，HVDC 技术通过减少铜材使用量、降低电流以及减少热损耗，能够实现更高效、集中化的电力输送；
2）HVDC 相较于交流 UPS 省去了逆变环节，有利于降低电能损耗、提高可靠性；
3）HVDC 系统在占地面积、建设成本、运营成本上均优于 UPS。
该机构认为，随着 AI 迅猛发展和算力需求急剧增加，AI 数据中心供配电系统面临着效率和节地等指标进一步提升的迫切需求，以上因素将持续推动数据中心供电技术方案由 UPS 向 HVDC 发展，未来 HVDC 在 AI 数据中心的渗透率有望持续提升。国内公司中：
1） 中恒电气：国内 HVDC 头部企业，与阿里巴巴深度合作，市场份额保持领先；
2） 禾望电气：具备成熟电力电子技术经验；
3） 盛弘股份：积极推进 HVDC 相关产品研发及客户验证工作，且 APF 产品在 HVDC 产业趋势下将充分受益；
4） 四方股份：固态变压器 （SST） 产品与 HVDC 方案适配；
5） 麦格米特：在 GTC2025 大会发布 800VDC 电源解决方案；
6） 科华数据、科士达：拥有 HVDC 技术储备。
（财联社）
文章转载自东方财富
