【文章来源：天天财富】
A 股主要指数今日集体走强，截止收盘，沪指涨 0.83%，收报 3853.64 点；深证成指涨 1.80%，收报 13356.14 点；创业板指涨 2.28%，收报 3185.57 点；科创 50 指数涨 3.49%，收报 1456.47 点。沪深两市成交额达到 23268 亿，较昨日缩量 1676 亿。行业板块几乎全线上涨，电子化学品、半导体、游戏、光伏设备、能源金属、房地产服务、电池板块涨幅居前，仅旅游酒店板块逆市下跌。个股方面，上涨股票数量超过 4400 只，近 90 只股票涨停。
当地时间 9 月 23 日美股盘后，全球存储芯片巨头美光科技公布 2025 财年第四财季报告。财报显示，公司第四季度营收为 113.2 亿美元，同比增长 46%；营业利润为 39.55 亿美元，同比增长 126.6%，均超出市场预期。美光科技 CEO Sanjay Mehrotra 在财报电话会上指出，预计全球存储芯片（尤其 HBM） 供需不平衡将加剧，因 DRAM 库存低于目标，而 NAND 库存持续下降；同时，明年 HBM 产能已基本锁定，需求增长显著，2026 年 HBM 出货量增速预计超整体 DRAM，成存储板块核心增长动力。此外在本周一，三星电子宣布对 DRAM 和 NAND 闪存产品大幅提价，其中 DRAM 产品涨幅最高达 30%，NAND 闪存涨幅为 5%-10%，主要受供应紧张及行业结构性调整影响。
东方证券表示，AI 带动的需求持续性一直是本轮 DRAM 涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮 DRAM 涨价行情具有较强持续性。东莞证券指出，数据将成为推动人工智能发展的 「新燃料」，AI 存储容量需求将比 2025 年增长 500 倍，占比超过 70%，Agentic AI 驱动存储范式改变。
东方证券：AI 带动的需求持续性一直是本轮 DRAM 涨价行情的关键支撑
AI 带动的需求持续性一直是本轮 DRAM 涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮 DRAM 涨价行情具有较强持续性。HBM4 时代，三星有望与 SK 海力士、美光实现 「同步布局」，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到 HBM 竞争并减少利基 DRAM 产能，国内利基 DRAM 供应商有望获得更大市场空间。
东莞证券：AI 存储容量需求大幅提高
数据将成为推动人工智能发展的 「新燃料」，AI 存储容量需求将比 2025 年增长 500 倍，占比超过 70%，Agentic AI 驱动存储范式改变。一方面，政策强力向算力芯片国产化方向倾斜，另一方面，本土云厂商陆续上修资本开支，且积极适配主流国产芯片，国产算力生态有望加速构建。除 AI 算力芯片外，先进制程晶圆代工、存储、先进封装等环节也有望受益。
华泰证券：看好 AI 相关需求和中国先进逻辑扩产的结构性机会
看好 AI 相关需求和中国先进逻辑扩产的结构性机会。预计 2026 年全球半导体设备收入同比增长 8% 至 1530 亿美元，其中中国市场规模 490 亿美元，同比接近持平。展望 2026 年，该机构认为：1） 海外方面，AI 相关先进逻辑和存储仍然是资本支出的主要驱动力。据 Factset 一致预期，台积电/三星/海力士 2026E 资本开支增速预测达到 8%/6%/9%。英特尔和三星或成为关键变量，建议关注英特尔在获得芯片法案资金支持后，其 14A 节点能否加速投资，以及三星获得特斯拉AI 芯片订单后，能否获得更多客户信任；2） 中芯国际、华虹近期募集资金，长鑫启动上市辅导，看好 2026 年中国先进逻辑和存储投资持续，看好设备国产进展，2026E 中国本土设备企业在中国市场规模中占比 （国产化率） 或同比+6pct 至 29%。
中信证券：NAND 涨幅有望超预期
进入 9 月，海外存储大厂相继对报价进行调整，其中闪迪向渠道和消费者客户对闪存产品涨价 10%+，美光阶段性暂停报价，三星对 DRAM、NAND 价格均有上调。从行业角度看，NAND 在过去约 3 个季度的时间里保持相对较低的产能利用率水平，且价格涨幅低于 DRAM，叠加近期 HDD 需求超预期导致的紧缺，该机构认为，在企业级 SSD 的需求高增下 NAND 涨幅有望超预期。建议重视企业级 SSD 需求景气度，建议重点关注企业级存储进展快、涨价受益逻辑强的公司。
浙商证券：涨价趋势是存储行业需求回暖的必然结果
涨价趋势是存储行业需求回暖的必然结果：供需再平衡推动价格回升，技术迭代重塑产品价值，AI 与边缘计算催生行业新需求。
（本文不构成任何投资建议，投资者据此操作，一切后果自负。市场有风险，投资需谨慎。)
（文章来源：东方财富研究中心）
(责任编辑：150)